고전력 반도체
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우수한 게이트 충전 N 채널 슈퍼 융합 MOSFET 4A650V LCS65R900 고전력 반도체
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상표: Lingxun
우수한 게이트 충전 N 채널 슈퍼 융합 MOSFET 4A650V LCS65R900 고전력 반도체
ID:4A
Vdss: 650V
Rdson-type ((@Vgs=10V): 840m오
특징:
• 고밀도 초단절 설계
• 우수한 게이트 충전 x RDS (ON) 제품 (FOM)
• 초저저항력
• 신뢰성 있고 견고함
응용 프로그램:
•SMPS
Q1. 우리는 누구죠?
A: 우리는 광둥, 중국에 기반을 두고 있습니다, 공장 2012 년부터 시작, 패커 반도체 장치의 포장 및 테스트에 중점을 둔 국가 하이테크 기업입니다.현재 180... 더보기
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11A 650V 340mΩ TO-252 스위치 충전기용 고전력 MOSFET
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상표: Lingxun
하이 라이트:TO-252 고전력 MOSFET, 스위칭 충전기 고전력 MOSFET, 650V 고전력 MOSFET
11A 650V 340mΩ TO-252 스위치 충전기용 고전력 MOSFET
N 채널 슈퍼 융합 MOSFET
부품 번호:LC65R380D
패키지:TO-252
주요 특징
내가D11A
VDSS:650V
RDSON형 VGS=10V:340mΩ
특징
• 우수한 서비스를 제공하기 위해 첨단 트렌치 기술을 채택
RDS ((ON), 낮은 게이트 충전 및 게이트 전압으로 작동
이 장치는
배터리 보호 또는 다른 스위칭 응용 프로그램.
응용 프로그램
• 태양광 인버터
• LCD/LED/PDP TV
• 통... 더보기
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TO-220F 금속산화 반도체 필드 효과 트랜지스터 15A 600V 274mΩ
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하이 라이트:금속 산화 반도체 필드 효과 트랜지스터, TO-220F 금속산화 반도체, 필드 효과 트랜지스터 15A
15A 600V 274mΩ TO-220F 금속 산화물 반도체 현장 효과 트랜지스터
N 채널 슈퍼 융합 MOSFET
부품 번호:LC60R280F
패키지:TO-220F
주요 특징
내가D15A
VDSS:600V
RDSON형 VGS=10V:274mΩ
특징
• 낮은 게이트 요금
• 낮은 RDS (동) 칩 영역 (Low FOM)
• 매우 낮은 전환 및 전도 손실
• 극도로 높은 전환 강도
응용 프로그램
• 태양광 인버터
• LCD/LED/PDP TV
• 통신/서버 전원 공급
• AC-DC 전원 공... 더보기
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낮은 누출량을 가진 고전압 N형 고전력 반도체
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하이 라이트:N형 고전력 반도체, 낮은 누출력 높은 전력 반도체, N형 고전압 반도체
제품 설명:
온도 저항 전압 저절단 용량 저 누출 N 전력 반도체
낮은 누출량과 낮은 결합 용량으로, 이 N형 반도체는 고전압 애플리케이션에 최적화되어 있습니다.높은 전압 과 전류 를 처리 할 수 있는 그 능력 은 전력 생산 및 유통 에서 사용 하기 위해 이상적 인 것 이다전기차부터 의료기기까지 이 반도체는 전 세계적으로 기술을 발전시키고 에너지 효율을 향상시키는 데 필수적입니다.
이 반도체는 고전압 기능 외에도 내구성과 신뢰성을 위해 설계되었습니다.탄탄 한 열 관리 는 높은 온도 와 혹독 한 환경 에 견딜 수 있다는 것 을 보장... 더보기
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저 스위칭 고전력 반도체 15A 650V 238mΩ DC-DC 변환기
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상표: Lingxun
하이 라이트:저 스위칭 고전력 반도체, 고전력 반도체 15A, 고전력 반도체 650V
15A 650V 238mΩ DC-DC 변환기용 저 스위칭 고전력 반도체
N 채널 슈퍼 융합 MOSFET
부품 번호:LC65R280D
패키지:TO-252
주요 특징
내가D15A
VDSS:650V
RDSON형 VGS=10V:238mΩ
특징
• 낮은 게이트 요금
• 낮은 RDS (동) 칩 영역 (Low FOM)
• 매우 낮은 전환 및 전도 손실
• 극도로 높은 전환 강도
응용 프로그램
• 태양광 인버터
• LCD/LED/PDP TV
• 통신/서버 전원 공급
• AC-DC 전원 공급
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19A 600V 160mΩ 산업용 전원 공급 장치용 고전력 반도체
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상표: Lingxun
하이 라이트:600V 고전력 반도체, 19A 고전력 반도체, 160mΩ 고전력 반도체
19A 600V 160mΩ 산업용 전원 공급 장치용 감소 스위칭 고전력 반도체
N 채널 슈퍼 융합 MOSFET
부문 번호:LC60R190D
패키지:TO-220F
주요 특징
내가D19A
VDSS:600V
RDSON형 VGS=10V:160mΩ
특징
• 교환 및 송전 손실 감소
• 빠른 회복 체 다이오드
• 하부 문 저항
• 100% 계곡 테스트
응용 프로그램
• 소프트 스위칭 토폴로지
• 통신 및 전기 공급
• EV 충전기 및 산업용 전원 공급 장치
Q1. 우리... 더보기
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20A 650V 150mΩ 스위치 모드 전원 공급 장치에 대한 냉각 MOS
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하이 라이트:20A 쿨 MOS, 스위치 된 전원 공급 냉각 MOS, 650V 고전압 MOS
20A 650V 150mΩ 안정성 및 균일성 스위치 모드 전원 공급 장치에 대한 냉각 MOS
N 채널 슈퍼 융합 MOSFET
부품 번호:LC65R190F
패키지:TO-220F
주요 특징
내가D20A
VDSS:650V
RDSON형 VGS=10V:150mΩ
특징
• 낮은 RDS (동) 및 FM
• 매우 낮은 전환 손실
• 탁월 한 안정성 과 균일성
응용 프로그램
• 태양광 인버터
• LCD/LED/PDP TV
• 통신/서버 전원 공급
• AC-DC 전원 공급
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TO-252 표면 장착 고전력 반도체 5A 500V 1.33Ω 헤어 드라이어
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하이 라이트:표면 마운트 고전력 반도체, TO-252 고전력 반도체, 500V 고전력 반도체
5A 500V 1.33Ω TO-252 표면 장착 헤어 드라이어용 고전력 반도체
N 채널 강화 모드 전력 MOSFET
부품 번호:CS5N50A5
패키지:TO-252
주요 특징
내가D5A
VDSS:500V
RDSON형 VGS=10V: 1.33Ω
특징
• 빠른 전환
• 낮은 ON 저항
• 낮은 게이트 요금
• 100% 단일 펄스 성산 에너지 테스트
응용 프로그램
• 어댑터와 충전기의 전원 스위치 회로.
Q1. 우리는 누구죠?
A: 우리는 광둥, ... 더보기
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다중 용도 응용 고전력 반도체 N 채널
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다중 용도 응용 고전력 반도체 N 채널
특징
• 낮은 게이트 요금
• 낮은 RDS (전동) 칩 영역 (Low FOM) 당
• 매우 낮은 전환 및 전도 손실
• 극도로 높은 전환 강도
응용 프로그램
• 태양광 인버터
• LCD/LED/PDP TV
• 통신/서버 전원 공급
• AC-DC 전원 공급
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낮은 누출 N 채널 고전력 MOSFET TO-220F TO-263C TO-247AC
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하이 라이트:N 채널 고전력 MOS, 고전력 MOSFET TO-247AC, TO-263C 고전력 MOSFET
제품 설명:
저전압 누출 전력 MOSFET
N형 고전력 반도체는 누출량이 낮고 고온 저항성이 뛰어난 반도체이다.높은 온도 에 저항 할 수 있는 그 능력 은 혹독 한 환경 에서 사용 하기 에 적합 하다이 장치는 고전압 애플리케이션을 처리하도록 설계되어 전력 생산 및 유통 시스템뿐만 아니라 운송 및 소비자 전자제품에 사용하기에 이상적입니다.
하이 파워 반도체 제품은 빠른 스위치 속도를 제공하기 위해 설계되었으며, 이는 고주파 애플리케이션에서 사용하기에 이상적입니다.이 장치는 높은 전력 수준을 효율적으로 처리하도록 설계되었습니다최소 손... 더보기
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낮은 누출 N 채널 산업용 고전력 IGBT
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하이 라이트:N 고전력 IGBT, 산업용 고전력 IGBT, 산업용 N 채널 IGBT
제품 설명:
산업용 용도로 낮은 누출 전압 전력 IGBT
고전압 전력 IGBT, 고전압 전력 냉각 모스 및 고전압 분리 장치는이 제품의 주요 속성 중 일부입니다. 높은 전압과 전류를 효율적으로 처리하는 능력,빠른 전환 기능과 탄탄한 열 관리, 그것은 많은 산업의 응용에 대한 이상적인 선택입니다. 전력 생산 및 유통에서 운송 및 소비 전자제품까지.
고전력 반도체는 뛰어난 성능과 신뢰성을 제공하는 N형 반도체 제품입니다.그 낮은 누출 및 높은 온도 저항은 높은 전력 및 높은 효율을 필요로 하는 응용 프로그램에 대한 이상적인 선택첨단 ... 더보기
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N 채널 낮은 누출과 낮은 연결 용량을 가진 고전력 반도체
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하이 라이트:N 채널 고전력 반도체, 낮은 누출력, 고전력 반도체, 저결합 용량 전력 반도체
제품 설명:N 채널 전압 낮은 누출 낮은 접점 용량 높은 온도 저항 전력 반도체우리의 고전력 반도체 제품은 N형입니다. 강도와 내구성으로 유명합니다.그것은 전력 손실을 줄이고 시스템의 전반적인 효율성을 향상시키는 데 도움이 될 수 있습니다..이 반도체는 방위 및 항공우주, 전기차 및 소비자 전자제품 등 수많은 산업에 적용하기에 이상적입니다.고전압과 전류를 효율적으로 처리할 수 있는 능력으로 전 세계적으로 기술 발전과 에너지 효율성 향상에 필수적입니다..우리의 고전력 반도체 제품은 또한 높은 전압의 기능으로 특징이며, 고전압 전력 I... 더보기
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고전압 저 누출 냉각 모스 반도체 충전 스파일
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하이 라이트:쿨 모스 반도체, 낮은 누출 냉각 모스, 충전 스파일 쿨 모스
제품 설명:
저전압 누출 냉각 모스 전력 응용을위한 반도체
이 특정 제품은 낮은 결합 용량으로 N형 반도체로 고전압 애플리케이션에 이상적입니다.그 높은 효율성 은 에너지 를 낭비 하지 않고 큰 양 의 전류 를 처리 할 수 있게 해 준다산업 및 상업용 용도로 비용 효율적인 솔루션입니다.
이 반도체는 고효율 뿐만 아니라 고전압으로도 가장 까다로운 용도로도 사용할 수 있습니다.급속한 스위치 기능이 파워 전자제품에 사용하기에 이상적입니다, 효율성을 유지하고 다른 구성 요소의 손상을 방지하기 위해 빠른 전환 속도가 필요합니다.
이 제품의 ... 더보기
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높은 전력 낮은 누출 N 채널 IGBT 고온 저항
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하이 라이트:낮은 누출 N 채널 IGBT, 고온 내성 N 채널 IGBT, N형 고전력 IGBT
제품 설명:
전력 고온 내성 낮은 누출 N 채널 IGBT
우리의 고전압 전력 반도체는 높은 전압과 전류를 효율적으로 처리할 수 있습니다.소비자 전자제품그들은 전 세계적으로 기술을 발전시키고 에너지 효율을 향상시키는 데 필수적입니다.
우리의 고전력 반도체는 고전압 전력 IGBT를 필요로 하는 주스 머신 같은 애플리케이션에 적합합니다.그 고효율성 은 그러한 가전 의 전력 요구 를 효과적으로 처리 할 수 있도록 보장 합니다또한, 높은 온도 저항은 극단적인 조건 하에서 안정적으로 작동 할 수 있도록 보장하여 산업용 용도로 이상적인 선택입... 더보기
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충전 스파일을 위한 TO-247 N 채널 고전력 반도체
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하이 라이트:TO-247 고전력 반도체, 충전 스파일 고전력 반도체, N 채널 전력 반도체
제품 설명:N 타입 고온 저항 저 누출 저 단절 용량 전력 반도체낮은 결합 용량으로 설계 된 이 반도체는 빠른 스위치 속도를 필요로 하는 고주파 애플리케이션에 이상적입니다.시스템의 전체 효율성을 높이는 것.고전력 반도체 제품은 높은 전류 부하를 처리 할 수 있으며 전기 자동차 및 기타 고전력 애플리케이션에 훌륭한 선택입니다.그 탁월 한 성능 은 여러 산업 및 상업용 용용 에 이상적 인 선택 을 만든다, 모터 제어, 전원 공급 장치 및 인버터 포함.이 반도체는 높은 전력 처리 능력 외에도 뛰어난 열 관리 특성을 가지고 있습니다.고온 ... 더보기
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N형 고전압 트랜지스터 TO-220F 저조 연결 용량
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하이 라이트:N형 고전압 트랜지스터, 저결합 용량 N형 트랜지스터, 고전압 트랜지스터 TO-220F
제품 설명:
전력 N형 저결합 용량 트랜지스터
이 반도체의 독특한 특징 중 하나는 낮은 접합 용량이다. 이 속성은 반도체가 켜지고 꺼질 때 최소한의 전력 손실이 있음을 보장한다.그것은 또한 고주파 응용 프로그램에 사용하기에 이상적입니다, 예를 들어 재생 에너지 시스템 및 스마트 그리드 기술, 전력 손실이 전체 시스템 성능에 해를 끼칠 수 있습니다.
또한, 고전력 반도체는 고전압 장치로 손상없이 고전압에 견딜 수 있습니다. 이것은 다양한 응용 분야에 사용하기에 적합합니다.효율적인 전력 관리를 필요로 하는 에어컨 및 다른 고전력 가전... 더보기
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N 채널 고전력 반도체 TO-220F 고온 저항
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하이 라이트:고전력 반도체 TO-220F, 열 저항력 높은 전력 반도체, N 채널 고전력 반도체
제품 설명:
N형 저출출 저용량 고온 저항 반도체
고전압 전력 반도체는 고전압과 전류를 효율적으로 처리하고 강력한 열 관리를 할 수있는 능력으로 특징입니다. 이 반도체는 예외가 아닙니다.그리고 높은 전압 능력은 통신 인프라에 사용하기에 완벽합니다., 전력 요구가 높고 신뢰성이 필수적입니다.
이 반도체는 높은 전압 기능 외에도 높은 온도에도 저항력을 가지고 있어 온도가 급증할 수 있는 응용 분야에 이상적입니다.세탁기나 산업용 공정에서든, 이 반도체는 열을 쉽게 처리할 수 있습니다.
전체적으로, 고전력 반도체는 전 세계적으로 기술을 ... 더보기
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N 채널 낮은 누출 요동 용량으로 높은 전압 반도체
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하이 라이트:N 채널 고전압 반도체, 낮은 누출 고전압 반도체, 저 단절 용량 전력 반도체
제품 설명:
저전압 누출 정렬 용량 고온 저항 반도체 강화 기술
고온 저항 기능은 성능에 타협하지 않고 고온 환경에서 제품이 최적의 기능을 보장합니다.그것은 온도가 변동 할 수있는 철도 시스템과 같은 높은 온도 저항을 요구하는 응용 프로그램에 적합합니다.낮은 누출 기능은 최소한의 전력 손실이 발생하고 제품이 효율적으로 작동하는지 보장합니다. 이는 철도 시스템에 대한 전력 반도체 선택에 중요한 고려 사항입니다.
고효율성 속성은 제품이 효율적으로 전력을 변환할 수 있다는 것을 의미하며 이는 최소한의 열 손실과 낮은 전력 소비를 초래합... 더보기
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높은 온도 저항성, 낮은 누출량 및 낮은 접합 용량
가격: According to your order requirement
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상표: Lingxun
제품 설명:
고효율은 고전력 전자 시스템의 중요한 특성이고, 우리의 제품은 그것을 제공하기 위해 설계되었습니다. 그것은 시스템이 최소한의 에너지 손실로 최적의 작동을 보장합니다.이는 에너지 비용을 줄이는 것으로 나타납니다.이 제품의 높은 효율은 더 많은 거리를 이동하기 위해 최대 에너지 사용량을 필요로 하는 전기차에 이상적인 선택이 됩니다.
우리의 고전력 반도체 제품의 낮은 누출 속성은 최소한의 전력 손실로 작동하도록 보장합니다.에너지 손실이 시스템 비효율성과 성능 문제로 이어질 수 있는 경우우리의 제품은 누출을 줄이고 시스템이 ... 더보기
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낮은 누출 낮은 연결 용량 높은 온도 저항 전압 N 채널 전력 반도체
가격: According to your order requirement
MOQ: According to your order requirement
배달 시간: According to your order requirement
상표: Lingxun
제품 설명:
우리의 고전압 전력 반도체는 높은 빛, 빠른 전환 능력, 그리고 강력한 열 관리가 특징입니다.고온 저항을 요구하는 까다로운 환경에서 사용하기에 적합합니다..고효율과 뛰어난 성능으로, 우리의 고전력 반도체 제품은소비자 전자제품높은 전압과 전류를 효율적으로 처리할 수 있는 능력과 첨단 열 관리 기능전 세계적으로 기술을 발전시키고 에너지 효율을 향상시키는 근본적인 구성 요소로 만듭니다..
특징:
제품명: 고전력 반도체
고전압 전력 반도체는 높은 전압과 전류를 효율적으로 처리 할 수있는 능력, 빠른 스위치 기능 및 강력... 더보기
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