GaN 에피택셜 웨이퍼

(68)

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Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

가격: Negotiable

MOQ: Negotiable

배달 시간: 3-4 week days

상표: GaNova

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하이 라이트:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... 더보기

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원문대로 에피택셜 웨이퍼

(42)

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4 인치 4H-SiC 기판 P 레벨 SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 저항성≥1E5Ω·cm 전력 마이크로 웨이브

가격: Negotiable

MOQ: Negotiable

배달 시간: 3-4 week days

상표: GaNova

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하이 라이트:P 레벨 4H-SiC 기판, 마이크로웨이브 4H-SiC 기판, 4인치 4H-SiC 기판

전력과 마이크로파 소자를 위한 JDCD03-002-002 4 인치 4H-SiC 기판 피-준위 SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω·cm 개관 SiC는 다이오드와 파워 트랜지스터와 고전력 마이크로파 소자와 같은 매우 고전압과 고전력 장치의 제작을 위해 사용됩니다. 전통적 Si 장치와 비교하여, SiC-기반을 둔 전력 소자는 더 빨리 고온 능력 때문에 요구한 교환 속도 더 높은 전압, 더 낮은 저항 성분, 더 작은 크기, 더 적은 냉각을 가집니다. ... 더보기

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GaAs 에피 웨이퍼

(15)

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JDCD10-001-003 2인치 GaAs ((100) Zn 도핑 기판

가격: Negotiable

MOQ: Negotiable

배달 시간: 3-4 week days

상표: GaNova

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하이 라이트:2인치 Zn 도핑 기판, 2인치 Zn-Doped Substrate

2인치 GaAs(100) Zn 도핑 기판   개요GaAs Wafer의 Gallium arsenide는 전기로부터 직접적인 방식으로 레이저 광을 발생시키는 특성을 갖는다.GaAs 웨이퍼에는 두 가지 유형이 있습니다.다결정 및 단결정.이 웨이퍼는 LED, 마이크로웨이브 회로 및 LD를 만들기 위해 마이크로 전자 및 광전자 생산에 활용됩니다.   GaAs-Zn 웨이퍼 성장 방법 VGF 행동 유형 SCN 도펀트 GaAs-Zn... 더보기

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CVD 다이아몬드 기판

(15)

- visits

XRD

가격: Negotiable

MOQ: Negotiable

배달 시간: 3-4 week days

상표: GaNova

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하이 라이트:Electronic Grade Single Crystal Diamond, Electronic Diamond Substrates, Heat Sink Single Crystal Diamond

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급속 열 처리 시스템

(2)

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부스트 프로덕션 급속한 열처리 RTP-SA-8 앙일링 시스템

가격: Negotiable

MOQ: Negotiable

배달 시간: 3 month

상표: Ganova

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하이 라이트:Boost Production Rapid Thermal Processing, Rapid Thermal Processing Annealing System

1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat sources for heating. The internal quartz cavity is insulated and insulated, and the outer shell... 더보기

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홀 효과 센서 테스터

(3)

- visits

Hall Coefficient Hall Effect Sensor Tester Mobility Resistivity Measurement

가격: Negotiable

MOQ: 1

배달 시간: 8-10week days

상표: GaNova

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하이 라이트:Hall Effect Sensor Tester Mobility Resistivity, carrier concentration hall effect instrument, Hall Effect Sensor Tester semiconductor

Hall Coefficient Hall Effect Sensor Tester mobility resistivity measurement Product Overview: Hall effect tester is used to measure the carrier concentration, mobility, resistivity, Hall coefficient and other important parameters, and these parameters of semiconductor materials to understand the ele... 더보기

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알루미늄 질화물 웨이퍼

(21)

- visits

JDWY01-001-007 2인치 후막 (4,5) 사파이어 웨이퍼 상의 Um AIN, SSP, XRD FWHM Of(002)≤160arcsec\(102) ≤400arcsec

가격: Negotiable

MOQ: Negotiable

배달 시간: Negotiable

상표: GaNova

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하이 라이트:SSP AIN On Sapphire Wafer

사파이어 웨이퍼의 2인치 후막 (4,5)um AIN, SSP, XRD FWHM of(002)≤160arcsec(102) ≤400arcsec UV 소독, LED 칩   사파이어는 물리적, 화학적, 광학적 특성이 독특하게 조합된 소재로 고온, 열충격, 물과 모래 침식, 긁힘에 강합니다.   안건 AlN-TCU-C50 치수 φ50.8 mm±0.1 mm, OF(1-100), Al Face, 위치 결정 에지 16.0± 1.0 mm 기질 사파이어(단면 또는 양면 광택 처리... 더보기

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레이저다이오드 칩

(10)

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94um Laser Diode Chip Slope Efficiency 1.0W/A Wavelength 915nm

가격: Negotiable

MOQ: Negotiable

배달 시간: Negotiable

상표: GaNova

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하이 라이트:94um Laser Diode Chip, high power laser diode chip, 1.0W/A Laser Diode Chip

94μm Laser Diode Chip Slope Efficiency 1.0W/A Wavelength 915nm 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design For low power consumption it is essential that the output from the laser diode (LD) is efficiently coupled to the optical waveguide, and there are several approaches reported in the liter... 더보기

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탄화 규소 결정

(12)

- visits

JDZJ01-001-006 SiC 씨 크리스탈 S 등급 6" Φ153±0.5mm

가격: Negotiable

MOQ: Negotiable

배달 시간: 3-4 week days

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하이 라이트:6" SiC 씨 크리스탈, S급 SiC 씨 크리스탈, φ153±0.5mm SiC 씨 크리스탈

sic 결정핵 Ｓ 등급 6 " Ｓ 등급 φ153±0.5mm SiC는 애벌런치 항복을 겪지 않고 Si 또는 GAA 보다 더 큰 8 번 동안 전압 물매 (또는 전기장에) 견딜 수 있습니다. 이 높은 파괴전계는 고전력 마이크로파 소자와 더불어, 다이오드, 전력 트랜지스터, 파워 다이리스터와 서지 흡수기들과 같은 매우 하이-볼타게, 고전력 장치의 제작을 가능하게 합니다. 덧붙여, 그것은 매우 위치되기 위한 장치가 집적 회로에게 높은 디바이스 기록 밀도를 제공하면서, 함께 마감되도록 허락합니다. 등급 ... 더보기

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Ga2O3 웨이퍼

(13)

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JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn 도핑 독립형 Ga2O3 단결정 기판 제품 등급 단일 연마

가격: Negotiable

MOQ: Negotiable

배달 시간: 3-4 week days

상표: GaNova

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하이 라이트:독립적인 Ga2O3 단일 크리스탈 기판, 제품 등급 Ga2O3 단일 결정 기판, 10x10mm2 Ga2O3 단일 크리스탈 기판

10x10mm2(010)Sn 도핑 독립형 Ga2O3 단결정 기판 제품 등급 단일 연마 두께 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤0.5nm 저항 1.53E+18Ω/cm-3 광전자 소자, 반도체 재료의 절연층 및 UV 필터   실리콘 기반 장치는 상대적으로 효율적인 장치를 생산할 수 있었지만 질화 갈륨의 향상된 특성으로 인해 GaN 반도체는 열에 훨씬 적은 에너지를 잃는 이점이 있습니다.넓은 밴드갭 덕분에 GaN 장치는 실리콘보다 훨씬 더 높은 온도를 유지할 수 있으므로 즐겨 사용하는 장치에 전반적으로 더 높은 ... 더보기

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실리콘 웨이퍼

(26)

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JDCD07-001-004 MEMS 처리용 7 인치 SOI 에피타시얼 웨이퍼

가격: Negotiable

MOQ: 1

배달 시간: 3-4 week days

상표: GaNova

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하이 라이트:7 인치 SOI 에피타시얼 웨이퍼, MEMS 처리 SOI 에피타시얼 웨이퍼, SOI 에피타시얼 웨이퍼

MEMS 공정용 7인치 SOI 에피택셜 웨이퍼   개요실리콘 웨이퍼는 우리의 삶을 풍요롭게 하는 각종 전자제품에 들어가는 반도체 제조에 꼭 필요한 소재입니다.일상에서 실제 실리콘 웨이퍼를 접할 기회가 있는 사람은 거의 없습니다.실리콘 웨이퍼는 모양이 원형인 실리콘 결정으로 구성된 재료와 같은 결정 반도체의 얇은 조각입니다.     사양   소이 지름 4'' 5'' 6'' 7''     장치 계층 도펀트 붕소, 포... 더보기

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사파이어 웨이퍼

(19)

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JDCD08-001-006 6 인치 씨 플레인 사파이어 기판 웨이퍼

가격: Negotiable

MOQ: Negotiable

배달 시간: Negotiable

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하이 라이트:6inch Sapphire Substrate Wafer

JDCD08-001-006 6 인치 씨 플레인 사파이어 기판 웨이퍼 사파이어는 내구성에 다이아몬드로 유일한 두번째입니다다이아몬드는 도대체 가장 오래가는 자연스럽게 발생 요소이고, 광물 견고성의 모스 경도계에 10 / 10으로 랭크됩니다. 사파이어는 또한 매우 오래가고, 모스 경도계에 9 / 10으로 랭크됩니다. 거의 온라인 소스들로부터 그리고 전통적 소매 점포에서 모든 사파이어와 사파이어 빛 보석은 적격자로 묘사됩니다. 6 인치 씨 플레인 고순도 Al2O3 기판 ... 더보기

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무늬가 있는 사파이어 기판

(10)

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UKAS Patterned Sapphire Substrates Flat Edge Angle

가격: Negotiable

MOQ: 1

배달 시간: Negotiable

상표: GaNova

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하이 라이트:UKAS Patterned Sapphire Substrates, al2o3 substrate 430um, Patterned Sapphire Substrates OEM

50.80±0.10mm Patterned Sapphire Substrates Flat Edge Angle A-Plane±0.2o 2inch Patterned Sapphire Substrates,LED Chip,Substrate Material The efficacy enhancement of GaN-based LEDs with the patterned-sapphire substrate technique is generally attributed to the improvement in both light extraction effic... 더보기

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테플론 웨이퍼 홀더

(1)

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꽃 바구니와 손잡이를 청소하는 6inch 테플론 웨이퍼 홀더

가격: Negotiable

MOQ: 1

배달 시간: Negotiable

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하이 라이트:6inch Wafer Holder, wafer cassette carrier, 25 PCS Wafer Holder

6inch Wafer Holder Cleaning Flower Baskets And Handles PFA Cassette / Cassette of wafer can be customized and designed by customers’ request, able to resist strong acid, strong hydrofluoric acid, strong base and heat up to 200~220℃, use to deliver wafers in acid & base process of Fabrication f... 더보기

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웨이퍼 다이싱 머신

(5)

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0.1mm/s To 600mm/s Wafer Dicing Machine X Axis Cutting Range 260mm

가격: Negotiable

MOQ: 1

배달 시간: 8-10week days

상표: GaNova

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하이 라이트:0.1mm/s Wafer Dicing Machine, wafer saw machine 260mm, 600mm/s Wafer Dicing Machine

DAD3350 Wafer Dicing Machine 0.1 ～ 600mm/s X-Axis Cutting Range 260mm Improved throughput The DAD3350 achieves improvement in throughput by increasing the speed of each axis. Ease of use Operability is improved with installation of an LCD touch screen and Graphical User Interface (GUI). Easy operati... 더보기

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