반도체 장비

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중국 2500W 출력 전력으로 레이저 홀로그램 반조화 표시 장비 판매용

2500W 출력 전력으로 레이저 홀로그램 반조화 표시 장비

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MOQ: 2
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상표: ZMSH
  2500W 출력 전력으로 레이저 홀로그램 반조화 표시 장비   레이저 홀로그램 위조 방지 장비의 요약     레이저로 유도된 구조적 색상 리토그래피 (LSCL) 는 고정밀 제조 기술로 특수 레이저 광학적 디자인을 사용하여 금속 표면에 마이크로 나노 구조를 만듭니다.이 정밀하게 설계된 밀도가 높은 물리적 격자들은 광학 간섭과 분사 현상을 통해 생동감 넘치는 색상을 만들어냅니다.가시광선으로 조명되면 주기적인 나노 구조는 파장 선택적 분산을 유발합니다.관측 각도에 따라 변화하는 동적 황색 색상을 생성합니다 (강렬한 시각적 영향과 함... 더보기
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중국 6인치 8인치 12인치 LPCVD 산화 오븐 판매용

6인치 8인치 12인치 LPCVD 산화 오븐

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MOQ: 2
배달 시간: 5-10months
상표: ZMSH
  LPCVD 산화 오븐 요약     6인치 8인치 12인치 LPCVD 산화 오븐     LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 시스템은 반도체 제조에서 중요한 얇은 필름 퇴적 장비로 사용됩니다. 주로 폴리실리콘, 실리콘 질소,그리고 실리콘 옥시드 필름이 기술의 주요 장점은 다음과 같습니다: 1) 낮은 압력 환경 (0.1-10 Torr) ± 1.5% 내의 예외적인 필름 균일성을 보장합니다.2) 한 팩 당 150~200개의 웨이퍼의 높은 처리량을 가능하게 하는 수직 원자로 설계3) 플라즈... 더보기
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중국 웨이퍼 결합 장비 방 온도 결합 수소성 결합 Si-SiC Si-Si 결합 2 -12 인치 판매용

웨이퍼 결합 장비 방 온도 결합 수소성 결합 Si-SiC Si-Si 결합 2 -12 인치

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MOQ: 2
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상표: ZMSH
하이 라이트:방온 웨이퍼 결합 장비, 수소성 웨이퍼 결합 장비
  웨이퍼 결합 장비 방 온도 결합 시-시-C 시-시 결합 2-12 인치   웨이퍼 결합 시스템 개요     웨이퍼 결합 장비는 2 ~ 12 인치 웨이퍼 사양을 지원하는 실리콘 카비드 (SiC) 전력 장치 제조를 위해 특별히 설계된 고급 결합 장비입니다.웨이퍼 결합 장비는 고급 실온 직결 결합 및 표면 활성화 결합 기술을 통합합니다., SiC-SiC 및 SiC-Si 이질적인 결합 과정에 대한 특별한 최적화.고 정밀 광학 정렬 시스템 (≤±2μm) 및 폐쇄 회로 온도/압 조절이 통합되어 있다., 그것은 높은 접착 강도 (≥ 2 J... 더보기
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중국 열 압축 아노드 결합 장비 열 압력 결합 Si Cu Al-Ge 물질 600 ° C 2-8 인치 판매용

열 압축 아노드 결합 장비 열 압력 결합 Si Cu Al-Ge 물질 600 ° C 2-8 인치

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MOQ: 2
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하이 라이트:열 압축 애노드 결합 장비, 아노드 결합 장비
  열 압축 아노드 결합 장비 열 압력 결합 Si Cu Al-Ge 물질 600 ° C 2-8 인치     열 압축 애노드 결합 장비의 요약     열 압축 아노드 결합 장비는 열 압축과 아노드 결합을 결합하는 이중 프로세스 결합 기술을 통합합니다.2~8인치 웨이퍼의 금속화 포장용으로 특별히 설계된 (e예를 들어, Si/Cu/Al-Ge 시스템) 최대 작동 온도가 600°C입니다. 온도 압축 안오드 결합 장비, 온도-압-전압 매개 변수의 정밀한 제어로,그것은 웨이퍼 사이의 고강성 헤르메틱 밀폐를 달성합니다., MEMS 장치 및 전력 ... 더보기
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중국 웨이퍼 희석 시스템 정밀 희석 장비 SiC Si 웨이퍼 호환 4 -12 인치 웨이퍼 용량 판매용

웨이퍼 희석 시스템 정밀 희석 장비 SiC Si 웨이퍼 호환 4 -12 인치 웨이퍼 용량

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MOQ: 2
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상표: ZMSH
  웨이퍼 희석 시스템 정밀 희석 장비 SiC Si 웨이퍼 호환 4 -12 인치 웨이퍼 용량     웨이퍼 희석 장비 기술 개요     웨이퍼 희석 장비는 실리콘 (Si), 실리콘 카바이드 (SiC), 갈륨 아르세나이드 (GaAs) 및 사피르 기판을 포함한 4-12 인치의 부서지기 쉬운 반도체 물질의 정밀 희석을 가능하게합니다.고도의 포장 및 전력 장치 제조의 엄격한 요구 사항을 충족시키기 위해 두께 제어 정확도 ±1μm 및 전체 두께 변동 (TTV) ≤2μm을 달성합니다.웨이퍼 희소화 장비 깎는 매개 변수와 닦는 프로세스의 최적... 더보기
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중국 자동 듀얼 캐비티 반도체 빠른 앙화 오븐 6인치 8인치 12인치 웨이퍼 열 처리 장비와 호환 200-1300°C 판매용

자동 듀얼 캐비티 반도체 빠른 앙화 오븐 6인치 8인치 12인치 웨이퍼 열 처리 장비와 호환 200-1300°C

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MOQ: 1
배달 시간: Negotiable
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하이 라이트:8 인치 반도체 빠른 응고 오븐, 12 인치 반도체 빠른 고방 오븐, 6 인치 반도체 빠른 응고 오븐
제품 설명     자동 듀얼 캐비티 반도체 빠른 앙화 오븐 6인치 8인치 12인치 웨이퍼 열처리 장비 200-1300°C와 호환     자동 듀얼 챔버 급연 굽기 는 반도체 재료를 위해 설계된 고정도 열처리 장비입니다.이중 챔버 구조를 사용하여 효율적이고 균일한 빠른 난방 및 냉각 프로세스를 달성합니다.반도체 재료 산업에서 장치는 주로 웨이퍼, 복합 반도체 (GaN, SiC와 같은) 및 얇은 필름 물질의 열 처리 프로세스에 사용됩니다.온도와 시간의 정확한 제어로 재료의 전기 및 구조적 특성을 최적화, 장치의 성능과 생산량을 향상... 더보기
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중국 시크 저항 성장 크리스탈 오븐 고온 난방 잉크 6 인치 8 인치 12 인치 판매용

시크 저항 성장 크리스탈 오븐 고온 난방 잉크 6 인치 8 인치 12 인치

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MOQ: 1
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하이 라이트:6 인치 시크 저항 성장 결정 오븐, 8 인치 시크 저항 성장 결정 오븐
  ZMSH Sic 저항 긴 결정 오븐의 요약     시크 저항 성장 결정 오븐 고온 난방 진구 6인치 8인치 12인치   실리콘 카바이드 저항 결정 오븐은 실리콘 카바이드 (SiC) 크리스탈을 재배하기 위해 특별히 사용되는 장비의 일종입니다. 넓은 대역 간격 반도체 재료의 일종으로,실리콘 카바이드 는 높은 열 전도성 같은 우수한 특성을 가지고 있습니다., 높은 분해 전기장 및 높은 전자 포화 유동 속도, 그리고 전력 전자, 전파 장치 및 고온 반도체에서 널리 사용됩니다.저항성 긴 결정 오븐은 저항성 가열을 통해 높은 온도 환경... 더보기
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중국 시크 원료 합성 오븐 50kg 저항 고 순수성 시크 결정의 준비 판매용

시크 원료 합성 오븐 50kg 저항 고 순수성 시크 결정의 준비

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MOQ: 1
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하이 라이트:시크 원료 합성 오븐, 시크 크리스탈 합성 오븐
  ZMSH의 요약SiC 원료 합성 오븐   시크 원료 합성 오븐 50kg 저항 고 순수성 시크 결정의 준비     실리콘 탄화물 원자재 합성 오븐은 고 순수성 실리콘 탄화물 (SiC) 원자재를 준비하는 데 특별히 사용되는 장비의 일종입니다. 중요한 반도체 및 세라믹 재료로서,실리콘 카바이드는 전력 전자제품에 널리 사용됩니다., 고온 장치, 착용 저항성 물질 및 광학 장치.합성 오븐 은 고온 화학 반응 을 통해 실리콘 (Si) 과 탄소 (C) 원료를 실리콘 탄화물 로 변환 한다, 그리고 실리콘 탄화물 산업 사슬의 핵심 장비입니다... 더보기
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중국 시크 성장 오븐 PVT 방법 6인치 8인치 12인치 낮은 에너지 소비 판매용

시크 성장 오븐 PVT 방법 6인치 8인치 12인치 낮은 에너지 소비

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배달 시간: 5-10months
상표: ZMSH
하이 라이트:6인치 PVT 방식 성장 오븐, 12인치 PVT 방식 성장 오븐, 8인치 PVT 방식 성장 오븐
  ZMSH SiC 인덕션 성장 오븐의 요약   시크 성장 오븐 PVT 방법 6인치 8인치 12인치 낮은 에너지 소비   실리콘 카바이드 인덕션 성장 오븐은 높은 온도 환경을 제공하기 위해 인덕션 난방 기술을 사용하여 고품질의 실리콘 카바이드 (SiC) 크리스탈을 재배하는 장치입니다.인덕션 성장 오븐은 전자기 인덕션 원리를 통해 그래피트 크라이블과 원료를 직접 가열합니다.그것은 빠른 난방 속도, 정확한 온도 제어 및 낮은 에너지 소비의 특성을 가지고 있으며, 실리콘 탄화물 단일 크리스탈을 준비하는 핵심 장비 중 하나입니다.   ... 더보기
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중국 단 결정적 실리콘 듀얼 스테이션 정면 기계 6/8/12 인치 burr ≤0.5mm 고 정밀 ±0.05mm 판매용

단 결정적 실리콘 듀얼 스테이션 정면 기계 6/8/12 인치 burr ≤0.5mm 고 정밀 ±0.05mm

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MOQ: 1
배달 시간: 5-10months
상표: ZMSH
하이 라이트:단결성 실리콘 듀플 스테이션 사각형 기계, 정밀 두 개의 스테이션 사각형 기계
  요약   단 결정적 실리콘 듀얼 스테이션 정면 기계 6/8/12 인치 burr ≤0.5mm 고 정밀 ±0.05mm   반도체 재료 가공 분야에서 monocrystalline silicon two-root vertical open-mechanism island building is a highly specialized integrated production unit dedicated to precisely cutting cylindrical monocrystalline silicon rods (Ingot) into squar... 더보기
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중국 바이오닉 반 슬리프 패드 고 마찰 저 접착 웨이퍼는 바이오닉 마찰 패드 흡입 컵을 가지고 있습니다. 판매용

바이오닉 반 슬리프 패드 고 마찰 저 접착 웨이퍼는 바이오닉 마찰 패드 흡입 컵을 가지고 있습니다.

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MOQ: Negotiable
배달 시간: Negotiable
상표: ZMSH
하이 라이트:바이오닉 마찰 패드 흡입컵, 높은 마찰력, 낮은 접착력 웨이퍼, 비오닉 반 슬리프 패드
바이오닉 안티 슬라이드 패드 요약   바이오닉 반 슬리프 패드 고 마찰 저 접착 웨이퍼는 바이오닉 마찰 패드 흡입 컵을 가지고 있습니다.   바이오닉 안티 슬리드 패드는 생물학적 구조를 모방하는 고성능 안티 슬리드 도구입니다.그리고 미세 나노 표면 설계를 통해 접착제 없는 강한 접착력을 (건조한 환경과 습한 환경 모두에서 효과적) 및 충격 흡수 버퍼링을 달성합니다.극도로 깨끗하고, 반 정적, 극한 온도 저항성으로, 광전기, 반도체,광전자 및 광전자 기술 등으로 생산 생산량을 크게 향상시킬 수 있습니다. 예를 들어 웨이퍼 가장자... 더보기
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중국 반도체 웨이퍼 가공용 마이크로 플루이드 레이저 장비 판매용

반도체 웨이퍼 가공용 마이크로 플루이드 레이저 장비

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MOQ: 1
배달 시간: 5-10months
상표: ZMSH
하이 라이트:반도체 웨이퍼 처리 레이저 장비, 미세 유체 레이저 장비
m의 요약아이크로젯 레이저 기술 장비   반도체 웨이퍼 가공용 마이크로 플루이드 레이저 장비   마이크로젯 레이저 기술은 첨단하고 널리 사용되는 복합물 처리 기술입니다. "머리처럼 얇은"물 제트와 레이저 빔을 결합합니다.그리고 전통적인 광섬유와 유사한 방식으로 전체 내부 반사로 레이저를 기계 부품의 표면에 정확하게 안내합니다.물 제트는 절단 부위를 지속적으로 냉각하고 가공에 의해 생성 된 분자를 효과적으로 제거합니다.     냉면, 깨끗하고 제어 된 레이저 처리 기술로, 마이크로젯 레이저 기술은 열 손상, 오염,변형, 퇴적물 ... 더보기
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중국 마이크로젯 레이저 기술 장비 웨이퍼 슬라이스 금속 실리콘 카바이드 재료 판매용

마이크로젯 레이저 기술 장비 웨이퍼 슬라이스 금속 실리콘 카바이드 재료

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MOQ: 1
배달 시간: 5-10months
상표: ZMSH
하이 라이트:웨이퍼 슬라이스 레이저 기술 장비, 마이크로 제트 레이저 기술 장비
m의 요약아이크로젯 레이저 기술 장비   마이크로젯 레이저 기술 장비 웨이퍼 슬라이스 금속 실리콘 카바이드 재료     마이크로젯 레이저 시스템은 고에너지 펄스 레이저와 마이크로 스케일 액체 제트 (일반적으로 비이온화 물 또는 관성 액체) 를 결합하여 반도체 재료의 초정밀 가공을 가능하게합니다.액체 제트의 유도 및 냉각 효과를 사용하여.   높은 정밀도, 낮은 손상 및 높은 청결성으로, 마이크로젯 레이저 기술은 반도체 분야에서 전통적인 가공 및 건조 레이저 프로세스를 대체하고 있습니다.특히 세 번째 세대의 반도체 (SiC/GaN... 더보기
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중국 마이크로젯 레이저 장비 고 에너지 펄스 레이저 칩 마이크로홀 및 TSV 처리 레이저 MICROJET LMJ 판매용

마이크로젯 레이저 장비 고 에너지 펄스 레이저 칩 마이크로홀 및 TSV 처리 레이저 MICROJET LMJ

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MOQ: 1
배달 시간: 5-10months
상표: ZMSH
하이 라이트:TSV 처리 레이저 미크로젯, 고 에너지 펄스 레이저 칩, 마이크로젯 레이저 장비
m의 요약아이크로젯 레이저 기술 장비   마이크로젯 레이저 장비 고 에너지 펄스 레이저 칩 마이크로홀 및 TSV 처리 레이저 미크로젯 (LMJ)   마이크로젯 레이저 장비는 고 에너지 레이저와 마이크로 스케일의 액체 제트를 결합한 정밀 가공 시스템이며, 주로 반도체,광전자 및 의료핵심 원칙은 미크론 이하의 가공 정확도 (0.0까지) 를 달성하는 것입니다.5μm) 와 열에 영향을 받는 거의 0°C 지역 (HAZ<1μm) 은 펄스 레이저 빛 (지외선이나 녹색 빛 등) 을 고속 액체 제트 (일반적으로 비이온화 물 또는 무활성 액... 더보기
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중국 갈륨 아르세나이드 광섬유 온도 센서 소형 탐사체 0.5mm 온도 측정 정확도 ±0.1°C 판매용

갈륨 아르세나이드 광섬유 온도 센서 소형 탐사체 0.5mm 온도 측정 정확도 ±0.1°C

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MOQ: 2
배달 시간: Negotiable
상표: ZMSH
하이 라이트:갈륨 아르 세나이드 광섬유 온도 센서, 광섬유 온도 센서
  요약 갈륨 아르세나이드 광섬유 온도 센서 소형 탐사체 0.5mm 온도 측정 정확도 ±0.1°C   갈륨 아르세나이드 (GaAs) 광섬유 온도 센서는 반도체 광학적 특성을 기반으로 한 일종의 비접촉 온도 측정 시스템입니다.고 정밀 온도 측정을 실현하는 GaAs 재료의 빛 흡수 또는 형광 특성이 온도와 함께 변화한다는 원칙을 통해그것의 핵심 장점은 전 광적 신호 전송 (전자기 간섭 없이), 작은 탐사 크기 (0.5mm만큼 작은), 극단적인 환경 (고전압, 강한 부식,강한 전자기장, 등), 반도체, 전력, 의학 및 과학 연구 분... 더보기
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중국 GaAs 광섬유 온도 센서 GaAs 패키지 온도 센서 쿼츠 유리 섬유 전도성 판매용

GaAs 광섬유 온도 센서 GaAs 패키지 온도 센서 쿼츠 유리 섬유 전도성

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MOQ: 2
배달 시간: Negotiable
상표: ZMSH
하이 라이트:GaAs 패키지 온도 센서, 쿼츠 유리섬유 전도 온도 센서, GaAs 광섬유 온도 센서
요약 GaAs 광섬유 온도 센서 GaAs 패키지 온도 센서 쿼츠 유리 섬유 전도성  갈륨 아르세나이드 광섬유 온도 센서는 온도 감지 물질로 갈륨 아르세나이드로 만든 광섬유 온도 센서이다.크리스탈과 쿼츠 유리는 갈륨 아르세나이드 반도체 물질의 광 대역 간격 변화의 온도 관련 특성을 사용하여 캡슐화됩니다.이 센서는 전도기 구조가 없으며 전자기 간섭에 대한 완전한 면역력, 좋은 반복성,높은 정밀도, 빠른 반응 및 긴 수명. 그것은 RFI, EMI,NMR,RF, 마이크로 웨브, 초고전압 장비 및 기타 환경과 같은 생활 및 반 간섭에 대한 ... 더보기
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중국 반자동 방온 접착기 2/4/6/8/12인치 호환성 재료 사피어 Si SiC InP GaAs GaN LT/LN 다이아몬드 유리 판매용

반자동 방온 접착기 2/4/6/8/12인치 호환성 재료 사피어 Si SiC InP GaAs GaN LT/LN 다이아몬드 유리

가격: by case
MOQ: 2
배달 시간: 5-10months
상표: ZMSH
하이 라이트:LN 다이아몬드 글래스 결합 기계, 사파이어 SiC 결합 기계, GaAs GaN 결합 기계
반 자동 방 온도 접착 기계의 요약 반자동 방온 접착기 2/4/6/8/12인치 호환성 재료 사피어 Si SiC InP GaAs GaN LT/LN 다이아몬드 유리  반자동 방온 결합 기계는 웨이퍼 레벨 또는 칩 레벨 결합을위한 정밀 장치입니다.기계적 압력 + 표면 활성화 기술은 높은 온도 또는 추가 접착제 없이 실내 온도 (20-30 ° C) 에서 물질 사이의 영구적 인 결합을 가능하게합니다.그것은 반도체 포장, MEMS 제조, 3D IC 통합 및 다른 분야에 적합하며, 특히 열 민감성 물질 및 마이크로 및 나노 구조의 결합 필요에 ... 더보기
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중국 사파이어 키 결정화 오븐 kyropoulos 폼 성장 과정 사파이어 크리스탈 200kg 400kg 판매용

사파이어 키 결정화 오븐 kyropoulos 폼 성장 과정 사파이어 크리스탈 200kg 400kg

가격: by case
MOQ: 1
배달 시간: Negotiable
상표: ZMSH
하이 라이트:LED 기판 크리스탈 성장 장비, 크기가 큰 크리스탈 성장 장비, 사파이어와 결정화 오븐
  제품 설명       사피르 및 크리스탈레이션 오븐 키로폴로스 폼 공정성장 사피르 결정 200kg 400kg         Kyropoulos bubble method (Ky method for short) is a melt growth method by dipping seed crystals into molten sapphire melt and taking them out at a controlled rate when the crucible and crystal are reversed이 방법은 높은 품질, 낮은 결함 밀도,... 더보기
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중국 시크 다이아몬드 와이어 절단 기계 정밀 안내 시크 결정 막대 절단 판매용

시크 다이아몬드 와이어 절단 기계 정밀 안내 시크 결정 막대 절단

가격: by case
MOQ: 1
배달 시간: 5-10months
상표: ZMSH
하이 라이트:SIC 다이아몬드 와이어 절단 기계, SiC 크리스탈 막대 절단 기계
  ZMSH SiC 다이아몬드 와이어 절단기의 요약   SiC 다이아몬드 와이어 절단 기계 정밀 안내 SiC 결정 막대 절단   실리콘카바이드 절단기는 실리콘카바이드 (SiC) 진통을 절단하는 데 특별히 사용되는 장비의 일종입니다.주로 큰 크기의 실리콘 카바이드 진고를 더 작은 조각이나 세그먼트로 나뉘어 후속 처리를 위해 사용됩니다.. 실리콘 탄화물은 고강도, 높은 마모 저항성 물질의 일종으로, 그것의 절단 특수 장비와 기술을 필요로, 실리콘 탄화물 절단기는이 효율적인 도구를 위해 설계되었습니다.           특징SiC... 더보기
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중국 VIS-NIR 카메라 CCD 컨투어-IR 컨투어-M 디지털 카메라 400-1700nm 다스펙트럼 카메라 판매용

VIS-NIR 카메라 CCD 컨투어-IR 컨투어-M 디지털 카메라 400-1700nm 다스펙트럼 카메라

가격: by case
MOQ: Negotiable
배달 시간: Negotiable
상표: ZMSH
하이 라이트:디지털 VIS NIR 카메라, 멀티 스펙트럼 VIS NIR 카메라, 1700nm VIS NIR 카메라
제품 설명:         VIS-NIR 카메라 CCD 컨투어 IR윤곽-M 디지털 카메라 400-1700nm 다 스펙트럼 카메라       CONTOUR-IR 근 적외선 카메라는 갈륨 아르세닌이드 적외선 발광 다이오드, 다이오드 레이저 또는 고체 레이저와 같은 적외선 광원으로부터 빛을 보고 저장하고 기록하도록 설계되었습니다.적외선 현미경에도 사용할 수 있습니다.이 카메라는 높은 감수성과 낮은 노이즈를 가진 실리콘 CCD 프로브를 기반으로 하여 근 적외선 감수성을 향상시킵니다.     비즈니어 카메라 (Visible to Near... 더보기
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